EVERLIGHT Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;

Schneller, empfindlicher Doppel-Fototransistor mit gemeinsamen Kollektor; im schwarzen Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.

Technische Daten:

• Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm
• Empfindlichkeit: 0,13 … 1,1 mA @ 0,555 mW/cm², VCE= 5V
• Öffnungswinkel: k. A.
• VCE max.: 30V mA
• VEC max.: 5 V
• IC max.: 20 mA
• IC off: 100 nA @ Vce=20 V
• tr: 15 µsec
• tf: 15 µsec
• PVmax: 75 mW @ 25 °C
• Temp. Bereich: -25 … 85 °C
• Gehäuse: 4,5 x 4,8 x 2,8 mm mit Seitenlinse 1,5 mm
• Montage: THT